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总部176-6689-6313万利私网一比一加盟,低器件开关损耗:第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了约60%,开关损耗降低了约30%。反向传输电容Crss降低,提高器件的抗干扰能力,降低器件在串扰行为下误导通的风险。 更高可靠性:第二代碳化硅MOSFET通过更高标准的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核,产品可靠性表现出色。 更高工作结温:第二代碳化硅MOSFET工作结温达到175°C,提高器件高温工作能力。  [详细介绍]
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